物理法多晶硅微粉，又稱UNG ，其金屬雜質含量通常在幾個ppm以上，以原子濃度來說，都在每立方厘米10的16次方、甚至10的17次方以上。其實，經(jīng)過調(diào)查，針對硅微粉的金屬雜質的表現(xiàn)，目前還沒有一個統(tǒng)一的認識。有學者對國際上關于物理法多晶硅微粉中的雜質問題的學術研究作了一個比較全面的匯總。金屬雜質的存在，才是所制成的大陽能電池會衰減的必要條件。目前國際比較流行的看法是因為硼氧復合體的存在。金屬雜質在硅中會形成深能級，就是，距離導帶和價帶都很遠的能級。這些深能級距離導帶和禁帶都很遠，所以不但這些雜質本身的能級對提高導電性沒有什么關系，而且，一旦其它的淺能級（如磷或硼）載流子遇到這類深能級的雜質，會被劫持住，從而影響效率。